| поискавой системы для электроныых деталей |
|
MP04HB910 датащи(PDF) 4 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MP04HB910 датащи(HTML) 4 Page - Dynex Semiconductor |
|
4 / 7 page ![]() 4/7 www.dynexsemi.com MP04HB910 Fig.5 Maximum stored charge 0.1 1.0 10 100 Rate of decay of on-state current dIF/dt - (A/µs) 10000 1000 100 Conditions: Tj = 150˚C VR = 100V IF = 1000A IRR IF dIF/dt QS Fig.6 Maximum reverse recovery current 1.0 10 100 Rate of decay of forward current dI F/dt - (A/µs) 1000 100 10 Conditions: Tj = 175˚C VR = 100V IF = 1000A Fig.7 Surge (non-repetitive) forward current vs time (with 50% V RRM @ T c - 150˚C) 110 1 2 3 5 10 20 50 0 5 10 15 20 25 30 35 0.8 0.9 0.7 1.0 1.1 ms Cycles at 50Hz Duration I2t = Î2 x t 2 1.2 1.3 I2t 1.4 Fig.8 Transient thermal impedance - dc 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Time - (Seconds) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |