| поискавой системы для электроныых деталей |
|
GP801DDS18 датащи(PDF) 6 Page - Dynex Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GP801DDS18 датащи(HTML) 6 Page - Dynex Semiconductor |
|
6 / 10 page ![]() GP801DDS18 6/10 Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures. www.dynexsemi.com Fig. 7 Diode typical forward characteristics Fig. 8 Reverse bias safe operating area Fig. 9 Forward bias safe operating area Fig. 10 Transient thermal impedance 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Foward voltage, VF - (V) Tj = 125˚C Tj = 25˚C 0.1 1 10 100 1 10 1000 100 10000 Pulse width, tp - (ms) Diode Transistor 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 0 400 800 1200 1600 2000 Collector-emitter voltage, Vce - (V) RBSOA Tcase = 125˚C Vge = ±15V Rg(min) = 2.2Ω Rg(min) : Minimum recommended value 1 10 100 1000 10000 1 10 100 1000 10000 Collector-emitter voltage, Vce - (V) 50 µs 100 µs IC max. (single pulse) tp = 1ms |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |