| поискавой системы для электроныых деталей |
|
MMBZ18VCL датащи(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ18VCL датащи(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
6 / 15 page ![]() MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 3 September 2008 6 of 15 NXP Semiconductors MMBZxVCL; MMBZxVDL series Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression 7. Characteristics Table 10. Characteristics Tamb =25 °C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Per diode VF forward voltage MMBZ12VDL MMBZ12VDL/DG IF = 10 mA - - 0.9 V MMBZ15VDL MMBZ15VDL/DG IF = 10 mA - - 0.9 V MMBZ18VCL MMBZ18VCL/DG IF = 10 mA - - 0.9 V MMBZ20VCL MMBZ20VCL/DG IF = 10 mA - - 0.9 V MMBZ27VCL MMBZ27VCL/DG IF = 200 mA - - 1.1 V MMBZ33VCL MMBZ33VCL/DG IF = 10 mA - - 0.9 V VRWM reverse standoff voltage MMBZ12VDL MMBZ12VDL/DG - - 8.5 V MMBZ15VDL MMBZ15VDL/DG - - 12.8 V MMBZ18VCL MMBZ18VCL/DG - - 14.5 V MMBZ20VCL MMBZ20VCL/DG --17 V MMBZ27VCL MMBZ27VCL/DG --22 V MMBZ33VCL MMBZ33VCL/DG --26 V IRM reverse leakage current MMBZ12VDL MMBZ12VDL/DG VRWM = 8.5 V - 0.1 5 nA MMBZ15VDL MMBZ15VDL/DG VRWM = 12.8 V - 0.1 5 nA MMBZ18VCL MMBZ18VCL/DG VRWM = 14.5 V - 0.1 5 nA MMBZ20VCL MMBZ20VCL/DG VRWM =17V - 0.1 5 nA MMBZ27VCL MMBZ27VCL/DG VRWM =22V - 0.1 5 nA MMBZ33VCL MMBZ33VCL/DG VRWM =26V - 0.1 5 nA |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |