| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ACE4710B датащи(PDF) 3 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE4710B датащи(HTML) 3 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
3 / 6 page ![]() ACE4710B P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode VER 1.2 3 Schottky Diode Breakdown Voltage VR IR=300uA 20 V Forward Voltage Drop VF IF=1A 0.37 0.43 V Maximum reverse leakage current IR VR=20V 15 200 uA Note : 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. Typical Performance Characteristics |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |