| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDN338P датащи(PDF) 3 Page - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDN338P датащи(HTML) 3 Page - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. |
|
3 / 4 page ![]() _ On-Resistance vs. Drain Current Output Characteristics Transfer Characteristics VDS - Drain-to-Source Voltage (V) VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 0 2 4 6 8 10 0 1234 5 0 2 4 6 8 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 TC = -55_C 125_C 0, 0.5, 1 V 2.5 V VGS = 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V 1.5 V 2 V 0 200 400 600 800 1000 0369 12 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 -50 0 50 100 150 0 1 2 3 4 5 02468 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0 2468 10 Gate Charge Qg - Total Gate Charge (nC) VDS - Drain-to-Source Voltage (V) Crss Coss Ciss VDS = 6 V ID = 2.8 A ID - Drain Current (A) Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature VGS = 4.5 V ID = 2.8 A TJ - Junction Temperature (_C) VGS = 2.5 V VGS = 4.5 V 25_C 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3 Date:2011/05 www.htsemi.com semiconductor JinYu FDN338P |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |