| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2N5597 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N5597 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2N5597 -60 2N5599/5601 -80 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5603 IC=-50mA ;IB=0 -100 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1A; IB=-0.1A -1.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-1A ; VCE=-5V -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=Rated VCBO; IE=0 -0.1 mA ICEO Collector cut-off current VCE= Rated VCEO,IB=0 -1.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -0.1 mA 2N5597/5601 70 200 hFE DC current gain 2N5599/5603 IC=-1A ; VCE=-5V 30 90 2N5597/5601 60 fT Transition frequency 2N5599/5603 IC=-0.5A ; VCE=-10V 50 MHz |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |