| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFP110N15T2 датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFP110N15T2 датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 6 page ![]() IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXFA110N15T2 IXFP110N15T2 IXYS REF: F_110N15T2(61)12-17-08 Fig. 7. Input Admittance 0 20 40 60 80 100 120 140 160 3.4 3.8 4.2 4.6 5.0 5.4 5.8 6.2 6.6 VGS - Volts TJ = 150ºC 25ºC - 40ºC Fig. 8. Transconductance 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ID - Amperes TJ = - 40ºC 150ºC 25ºC Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 50 100 150 200 250 300 350 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 VSD - Volts TJ = 150ºC TJ = 25ºC Fig. 10. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160 QG - NanoCoulombs VDS = 75V I D = 55A I G = 10mA Fig. 11. Capacitance 10 100 1,000 10,000 100,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area 0.1 1.0 10.0 100.0 1,000.0 1 10 100 1000 VDS - Volts 25µs 100µs 1ms 10ms 100ms RDS(on) Limit TJ = 175ºC TC = 25ºC Single Pulse |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |