| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SSM9980M датащи(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM9980M датащи(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
4 / 5 page ![]() www.SiliconStandard.com 4 of 5 SSM9980M/GM 12/10/2004 Rev.2.01 Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Switching Time Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform td(on) tr td(off) tf VDS VGS 10% 90% Q VG 4.5V QGS QGD QG Charge 10 100 1000 10000 1 5 9 131721 2529 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz Ciss Coss Crss 0 4 8 12 16 0 1020 304050 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =4A V DS =64V V DS =50V V DS =40V 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1000 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) 1ms 10ms 100ms 1s DC T A =25 o C Single Pulse 0.001 0.01 0.1 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t , Pulse Width (s) 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthja + Ta Rthja = 135°C/W t T 0.02 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |