| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SSM40T03GS датащи(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM40T03GS датащи(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
4 / 5 page ![]() www.SiliconStandard.com 4 of 5 Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Switching Time Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform 1 10 100 0.1 1 10 100 V DS ,Drain-to-Source Voltage (V) T C =25 o C Single Pulse 100us 1ms 10ms 100ms DC 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) PDM Duty Factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor = 0.5 Single Pulse 0 3 6 9 12 036 9 12 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =18A V DS =10V V DS =15V V DS =20V 10 100 1000 1 8 15 22 29 V DS ,Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss td(on) tr td(off) t f VDS VGS 10% 90% Q VG 4.5V QGS QGD QG Charge SSM40T03GP,S 9/16/2005 Rev.3.1 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |