SSD01L60 datasheet(4/4 Pages) SECOS

поискавой системы для электроныых деталей

SSD01L60 датащи(PDF) 4 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

номер детали	SSD01L60

подробное описание детали	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

производитель	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

домашняя страница	http://www.secosgmbh.com

Logo

4 / 4 page

01-Jun-2002 Rev. A

Page 4 of 4

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changing of specification will not be informed individual

Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

Elektronische Bauelemente

SSD01L60

1A, 600V,RDS(ON)12

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]
Что такое Аллдатащит \| реклама \| контакт \| Конфиденциальность \| Ссылка на техническое описание \| обмен ссыками \| поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com