| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BUH313D датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUH313D датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUH313D ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ;IB= 0,L= 25mH 600 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.75A B 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.75A B 1.3 V IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC=0 300 mA ICES Collector Cutoff Current VCE= 1300V;VBE= 0 VCE= 1300V;VBE= 0;TC=125℃ 1.0 2.0 mA hFE DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 5V IC= 3A ; VCE= 5V;TC=100℃ 5 3 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 3A 2.5 V Switching Times; Resistive Load ts Storage Time 1.8 2.7 μs tf Fall Time IC= 3A;IB1= 1A; IB2= 1.5A VCC= 400V 0.2 0.3 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |