| поискавой системы для электроныых деталей |
|
APD03N60AI датащи(PDF) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APD03N60AI датащи(HTML) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
4 / 7 page ![]() APD03N60AI 600V N-Channel Depletion Mode MOSFET APD03N60AI RVE1.0 臺灣永源微電子科技有限公司 Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs. Junction Temperature Figure 8: Normalized on Resistance vs. Junction Temperature Figure 9: Maximum Safe Operating Area Figure 10: Maximum Continuous Drain Current vs. Ambient Temperature Figure.11: Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |