| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFN50N120SIC датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFN50N120SIC датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 3 page ![]() ISCFM8064 eq IXFN50N120SiC SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 1 FEATURES · High blocking voltagewith low RDS(on) · Easy to parallel and simple to drive · Avalanche ruggedness APPLICATIONS · Solar Inverters · Industrial UPS · Battery chargers · Motor drives Absolute Maximum Ratings(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1200 V VGS Gate-Source Voltage Max transient voltage, < 1% duty cycle -5/+20 V ID Drain Current-Continuous 47 A Drain Current-Continuous@Tc=100℃ 30 A IDM Pulsed Drain Current-Single 125 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 270 W TJ Max. Operating Junction Temperature -40~175 ℃ Tstg Storage Temperature -40~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.55 ℃ /W D G S S SOT-227 package |
Аналогичный номер детали - IXFN50N120SIC |
|
Аналогичное описание - IXFN50N120SIC |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |