| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFN50N120SIC датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFN50N120SIC датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISCFM8064 eq IXFN50N120SiC SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= 0.25mA 1200 -- -- V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 10mA 2.0 -- 4.0 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 20V, ID= 40A -- -- 50 mΩ IGSS Gate Source Leakage Current VGS=20V, VDS= 0V -- -- 0.5 μA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 1200V, VGS = 0V -- -- 200 μA VSD Diode Forward Voltage ISD=40A, VGS= -5V -- 5.2 -- V VSD Diode Forward Voltage ISD=40A, VGS= -5V,TJ=150℃ -- 4.6 -- V PACKAGE OUTLINE (UNIT: mm) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |