| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FDN338P датащи(PDF) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDN338P датащи(HTML) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
1 / 2 page ![]() SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter MARKING Maximum ratings (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 V Continuous Drain Current ID -2.8 Pulsed Drain Current IDM -10 Continuous Source-Drain Diode Current IS -0.72 A Maximum Power Dissipation PD 0. 4 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(t 5s) R JA 312.5 ℃/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Tstg -55 ~ +150 ℃ θ ≤ V(BR)DSS RDS(on)MAX ID -20 V 112mΩ@-4.5V A 142mΩ@-2.5V z Equivalent Circuit -2.8 FDN338 FDN338P SOT–23 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN 1 Rev:2023A2 338 FDN338P |
Аналогичный номер детали - FDN338P |
|
Аналогичное описание - FDN338P |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |