 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPB010N06N датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPB010N06N датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 3 page  ISF1187 eq IPB010N06N N-Channel MOSFET Transistor www.iscsemi.com 1 FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching Absolute Maximum Ratings(TC=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 20 V ID Drain Current-Continuous 180 A IDM Drain Current-Single Pulse 720 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 300 W TJ Max. Operating Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.5 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IPB010N06N |
|
Аналогичное описание - IPB010N06N |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
