| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IPB010N06N датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPB010N06N датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISF1187 eq IPB010N06N N-Channel MOSFET Transistor www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0, ID= 1mA 60 - - V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 60V, VGS= 0V - - 1 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V,VDS= 0 V - - ± 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 0.28mA 2.1 - 3.3 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V, ID= 100A - - 1.0 mΩ VSD Diode Forward Voltage ISD= 100A, VGS= 0V - - 1.2 V PACKAGE OUTLINE |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |