| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PHT11N06 датащи(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PHT11N06 датащи(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 10 page ![]() Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS ™ transistor PHT11N06T Standard level FET AVALANCHE LIMITING VALUE SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT W DSS Drain-source non-repetitive I D = 3.6 A; VDD ≤ 25 V; - - 60 mJ unclamped inductive turn-off V GS = 10 V; RGS = 50 Ω; Tsp = 25 ˚C energy December 1997 3 Rev 1.100 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |