| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5706 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5706 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5706 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1.0A; IB= 50mA 0.135 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.0A; IB= 100mA 0.24 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2.0A; IB= 100mA 1.2 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA; IB= 0 50 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 10uA; IC= 0 6 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 40V; IE= 0 1.0 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 1.0 μ A hFE DC Current Gain IC= 0.5A; VCE=2V 200 560 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; f= 1.0MHz 15 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 500mA; VCE= 10V 400 MHz |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |