| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FMP3009 датащи(PDF) 3 Page - Goodwork Semiconductor Co., Ltd . |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FMP3009 датащи(HTML) 3 Page - Goodwork Semiconductor Co., Ltd . |
|
3 / 4 page ![]() -0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -0.1 -1 -0 -1 -2 -3 -4 -5 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 10 15 20 25 30 35 40 -0 -2 -4 -6 -8 -10 10 20 30 40 50 60 -0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 25 50 75 100 125 -0.0 -0.3 -0.6 -0.9 -1.2 -1.5 Pulsed Pulsed T J=100 ℃ V SD I S —— T J=25 ℃ SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V SD (V) -9 V GS=-1.8V V GS=-2V,-3V,-4V,-5V Output Characteristics V GS=-1.5V DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V DS (V) V GS=-2.5V T J=25 ℃ Pulsed V GS=-4.5V T J=25 ℃ Pulsed DRAIN CURRENT I D (A) I D —— R DS(ON) T J=100 ℃ T J=25 ℃ GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) V GS —— R DS(ON) I D=-9A V DS=-3V Pulsed GATE TO SOURCE VOLTAGE V GS (V) Transfer Characteristics T J=100 ℃ T J=25 ℃ I D=-250uA Threshold Voltage JUNCTION TEMPERATURE T j ( ) ℃ FMP3009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Typical Characteristics |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |