| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3117 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3117 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3117 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 10uA; IC= 0 6 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC=1mA; IB= 0 160 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10uA; IE= 0 180 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 0.13 0.45 V VBE(sat) Base -Emitter Saturation Voltage IC= 500mA; IB= 50mA 0.85 1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCE= 120V; Ib=0 1.0 uA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 1.0 uA hFE DC Current Gain IC=100mA; VCE= 5V 100 400 hFE DC Current Gain IC=10mA; VCE= 5V 90 COb Output capacitance VCB=10V;IE= 0,f=1.0MHZ -- 22 -- pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= 50mA ; VCE= 10V -- 120 -- MHz hFE Classifications R S T 100-200 140-280 200-400 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |