| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STL117N4LF7AG датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STL117N4LF7AG датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 17 page ![]() Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit trr Reverse recovery time ISD = 26 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 32 V (see Figure 15. Test circuit for inductive load switching and diode recovery times) - 38 ns Qrr Reverse recovery charge - 36 nC IRRM Reverse recovery current - 1.9 A 1. Pulse width limited by safe operating area. 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% STL117N4LF7AG Electrical characteristics DS11591 - Rev 6 page 4/17 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |