| поискавой системы для электроныых деталей |
|
A1P35S12M3 датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
A1P35S12M3 датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 15 page ![]() Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit trr Reverse recovery time IF = 35 A, VR = 600 V, VGE = ±15 V, di/dt = 1533 A/μs, TJ = 150 °C - 350 ns Qrr Reverse recovery charge - 6.6 µC Irrm Reverse recovery current - 63 A Erec Reverse recovery energy - 3.2 mJ RTHj-c Thermal resistance junction- to-case Each diode - 0.8 0.9 °C/W RTHc-h Thermal resistance case-to- heatsink Each diode, λgrease = 1 W/(m·°C) - 0.75 °C/W 1.3 NTC Table 5. NTC temperature sensor, considered as stand-alone Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit R25 Resistance T = 25°C 5 kΩ R100 Resistance T = 100°C 493 Ω ΔR/R Deviation of R100 -5 +5 % B25/50 B-constant 3375 K B25/80 B-constant 3411 K T Operating temperature range -40 150 °C Figure 1. NTC resistance vs temperature GADG260720171142NTC 10 4 10 3 10 2 0 25 50 75 100 125 R (Ω) TC (°C) Figure 2. NTC resistance vs temperature, zoom GADG260720171151NTCZ 800 700 600 500 400 300 85 90 95 100 105 110 R (Ω) TC (°C) max min typ A1P35S12M3 NTC DS11635 - Rev 5 page 4/15 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |