| поискавой системы для электроныых деталей |
|
QPD1008LEVB2 датащи(PDF) 17 Page - Qorvo, Inc |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
QPD1008LEVB2 датащи(HTML) 17 Page - Qorvo, Inc |
|
17 / 20 page ![]() QPD1008L 125W, 50V, DC – 3.2 GHz, GaN RF Transistor Data Sheet Rev. I, October 2021 | Subject to change without notice 17 of 20 www.qorvo.com 1.1 – 1.5 GHz Application Circuit - Schematic Bias-up Procedure Bias-down Procedure 2. Set VG to -4 V. 3. Turn off RF signal. 4. Set ID current limit to 300 mA. 4. Turn off VD 5. Apply 50 V VD. 5. Wait 2 seconds to allow drain capacitor to discharge 6. Slowly adjust VG until ID is set to 260 mA. 7. Turn off VG 8. Set ID current limit to 0.6 A (Pulsed operation) 9. Apply RF. |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |