| поискавой системы для электроныых деталей |
|
UTT50P04L-TN3-R датащи(PDF) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTT50P04L-TN3-R датащи(HTML) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
3 / 9 page ![]() TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current Gate Charge Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 20 40 60 80 100 0 VGS = 10 V thru 5 V 3 V VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 12 9 6 315 4 V 0.00 0.01 0.02 0.03 0.05 0 20406080 100 ID - Drain Current (A) VGS = 4.5 V 0.04 VGS = 10 V Qg - Total Gate Charge (nC) 0 2 4 6 8 10 0 ID = 50 A VDS = 20 V 50 40 30 20 0 6 0 1 0 20 40 60 80 100 0 TC = 125 °C - 55 °C 25 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) 8 6 4 210 VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 0 1000 2000 3000 4000 5000 0 Ciss Coss Crss 35 30 25 20 15 10 540 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 175 VGS = 10 V ID = 30 A TJ - Junction Temperature (°C) - 50 150 125 100 75 50 25 0 - 25 E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw UTT50P04L-TN3-R 3 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |