| поискавой системы для электроныых деталей |
|
UTT50P04L-TN3-R датащи(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTT50P04L-TN3-R датащи(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
4 / 9 page ![]() TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Source Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage On-Resistance vs. Gate-to Source Voltage Transconductance Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature V SD -- Source-to-Drain Voltage (V) 0 1 0.01 0.001 0.1 10 100 TJ = 25 °C TJ = 150 °C 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 ID = 250 µA TJ - Temperature (°C) - 0.4 0.5 0.8 1.1 0 ID = 5 mA - 50 - 25 150 125 100 75 50 25 175 - 0.1 0.2 0.00 0.02 0.04 0.08 0.10 0 2468 10 TJ = 25 °C VGS - Gate-to-Source Voltage (V) TJ = 150 °C 0.06 0 20 40 60 80 100 120 0 20406080 100 I D - Drain Current (A) TC = - 55 °C 25 °C 125 °C - 50 - 48 - 46 - 44 - 42 - 40 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 175 ID = 10 mA T J - Junction Temperature (°C) E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw UTT50P04L-TN3-R 4 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |