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ECH8304 датащи(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 4 page ![]() ECH8304 No.8255-1/4 ECH8304 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・低オン抵抗。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 unit ドレイン・ソース電圧 VDSS −12 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±9 V ドレイン電流 (DC) ID − 9.5 A ドレイン電流 (パルス) IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% − 40 A 許容損失 PD セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1.6 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 unit min typ max ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=− 1mA, VGS=0 − 12 V ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=− 12V, VGS=0 − 10 µA ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS=± 7.2V, VDS=0 ± 10 µA ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=− 6V, ID=− 1mA − 0.3 − 1.0 V 順伝達アドミタンス yfs VDS=− 6V, ID=− 4.5A 12 20 S RDS(on)1 ID=− 4.5A, VGS=− 4.5V 12 16 mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)2 ID=− 2A, VGS=− 2.5V 18 26 mΩ RDS(on)3 ID=− 1A, VGS=− 1.8V 27 39 mΩ 入力容量 Ciss VDS=− 6V, f=1MHz 3180 pF 出力容量 Coss VDS=− 6V, f=1MHz 970 pF 帰還容量 Crss VDS=− 6V, f=1MHz 920 pF ターンオン遅延時間 td(on) 指定回路において 26 ns 立ち上がり時間 tr 指定回路において 234 ns ターンオフ遅延時間 td(off) 指定回路において 280 ns 下降時間 tf 指定回路において 295 ns 単体品名表示: JF 次ページへ続く。 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 32505PE TS IM ◎川浦 TA-100939 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 注文コード No. N8255 |
Аналогичный номер детали - ECH8304 |
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