 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM3422NSA датащи(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM3422NSA датащи(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
1 / 7 page  PJM3422NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor www.pingjingsemi.com 1 / 7 Revison：1.0 Apr-2019 Features RDS (ON) = 125 mΩ(Typ.) @VGS = 4.5 V Excellent RDS(on) and low gate charge Application This device is suitable for use as a load switch. Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 55 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID 2.1 A Maximum Power Dissipation PD 0.9 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG -55 to +150 ℃ Thermal Characteristics Parameter Symbol Value Units Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Note1 RθJA 139 ℃ / W SOT-23 1 2 Gate Source 3Drain Schematic diagram 1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: R22 |
Аналогичный номер детали - PJM3422NSA |
|
Аналогичное описание - PJM3422NSA |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
