| поискавой системы для электроныых деталей |
|
PJM10H02NSA датащи(PDF) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM10H02NSA датащи(HTML) 3 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
3 / 7 page ![]() 3 / 7 Typical Characteristics Curves www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Feb-2019 PJM10H02NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds Drain-Source Voltage (V) Figure 1 Output Characteristics Vgs Gate-Source Voltage (V) Figure 2 Transfer Characteristics ID- Drain Current (A) Figure 3 Rdson- Drain Current TJ-Junction Temperature(℃) Figure 4 Rdson-JunctionTemperature Qg Gate Charge (nC) Figure 5 Gate Charge Vsd Source-Drain Voltage (V) Figure 6 Source- Drain Diode Forward |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |