 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
WNB111S5APTS датащи(PDF) 1 Page - WeEn Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
WNB111S5APTS датащи(HTML) 1 Page - WeEn Semiconductors |
|
|
1 / 7 page  WNB111S5APTS Ultrafast power diode - Bare die Rev.01 - 9 October 2018 Product data sheet 1. General description Ultrafast power diode (Bare die after sawn). 2. Features and benefits • Fast reverse recovery • Low leakage current • Low forward voltage drop • Bare die 3. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VRRM* repetitive peak reverse voltage - - 600 V IF(AV)** average forward current δ = 0.5; square-wave pulse - - 15 A Static characteristics VF** forward voltage IF = 15 A; Tj = 25 °C - 1.4 1.8 V Dynamic characteristics trr** reverse recovery time IF = 1 A; VR = 30 V; dIF/dt = 100 A/μs; Tj = 25 °C - 28 60 ns 4. Ordering information Type number Package Name Description Version WNB111S5APTS Wafer Bare die on wafer Die Table 2. Ordering information |
Аналогичный номер детали - WNB111S5APTS |
|
Аналогичное описание - WNB111S5APTS |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
