2013/10/8 

p.5 

EMBA5N10CS

Single Pulse Time( sec ) 

Single Pulse Maximum Power Dissipation

0.01

0

1000

500

0.1

1

2500

1500

2000

3000

10

100

1000

R    = 4.2 C/W

Single Pulse

C

°

T  = 25 C

θJC

°

D C

V       ‐   Dr a i n ‐ So u r c e   Vo l t a g e (   V   )

   V     =   10V

Si n g l e   Pul s e

R     =   4. 2° C / W

   T     =   25° C

DS

 JC

C

GS

R 

   

   

  L

im

it

D S

(O

N

)

10

10 0

1

0. 0 1

0. 1

1

10

10 0

10

0m

S

1 0

m

S

1m

S

10

0u

S

Ma x i m u m   Sa f e   Op e r a t i n g   Ar e a

10 00

10

uS

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

600

0

0

300

DS

20

Crss

Coss

900

1500

Ciss

40

60

80

GS

f  =  1M H z

V     = 0 V

Capacitance Characteristics

100

150

450

750

1350

1200

1050

Q   ‐ Gate Charge( nC )

0

0

2

4

g

8

16

I   = 10A

6

8

10

D

24

32

80V

V     = 50V

DS

Gate Charge Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

single pulse

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

Transient Thermal Response Curve

10

‐2

10

0

‐1

10

10

1

0

10

10

‐1

‐2

10

10

‐3

‐4

10

10

‐5