2013/10/8 

p.4 

EMBA5N10CS

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

6.0 V

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

816

2.2

1.8

2.0

2.4

24

32

7.0 V

8.0 V

10 V

40

I   ‐ Drain Current( A )

D

GS

V    = 5.0 V

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

0.4

‐50

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = 10A

V     = 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

T   = ‐55°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

5

0

10

3

GS

V   = 10V

20

15

25

30

DS

A

5

4

6

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation with

Source Current and Temperature

25°C

T   = 125°C

V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

A

GS

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

8

DS

4

8

8.0V

V   = 10V

16

24

7.0V

GS

5.0V

12

16

20

On‐Region Characteristics

40

32

6.0V

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 125°C

V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

0.05

2

0.10

0.20

0.15

GS

4

6

T   = 25°C

A

A

0.40

0.30

0.25

0.35

0.45

810

I   = 5 A

D

TYPICAL CHARACTERISTICS