2013/5/21 

p.4 

EMB39P06CS

‐ 5.0V

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

36

0

0

12

24

DS

12

‐ 6.0V

V    = ‐ 10.0V

‐ 7.0V

48

60

GS

34

5

‐ 4.5V

On‐Region Characteristics

‐ 8.0V

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

‐ I   ‐ Drain Current( A )

1.3

0.7

0

1

12

D

24

GS

V    = ‐ 4.5 V

1.6

‐ 5.0 V

‐ 7.0 V

36

48

‐ 8.0 V

‐ 10.0 V

60

‐ 6.0 V

1.9

On‐Resistance Variation with Temperature

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.4

0.7

1.0

0

J

‐25

25

D

I   = ‐20 A

V     = ‐ 10V

1.3

1.6

1.9

GS

125

50

75

100

150

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

T   = 25°C

T   = 125°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

6

0

2

0.05

GS

4

A

0.10

0.15

0.20

8

A

10

I   = ‐ 10 A

D

A

T   = ‐55°C

‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1.5

10

0

30

GS

2.5

V   = ‐ 10V

50

20

40

60

DS

3.5

4.5

5.5

25°C

125°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

25°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.001

0

0.01

0.1

0.4

SD

0.2

0.6

V    = 0V

1

10

100

GS

A

T   = 125°C

1.0

0.8

1.2

‐55°C

1.4

 

TYPICAL CHARACTERISTICS