поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

EMB35N04CS датащи(PDF) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

номер детали EMB35N04CS
подробное описание детали  N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
домашняя страница  http://www.excelliancemos.com/
Logo EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMB35N04CS датащи(HTML) 2 Page - Excelliance MOS Corp.

  EMB35N04CS Datasheet HTML 1Page - Excelliance MOS Corp. EMB35N04CS Datasheet HTML 2Page - Excelliance MOS Corp. EMB35N04CS Datasheet HTML 3Page - Excelliance MOS Corp. EMB35N04CS Datasheet HTML 4Page - Excelliance MOS Corp. EMB35N04CS Datasheet HTML 5Page - Excelliance MOS Corp.  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 5 page
background image
 
 
2013/9/3 
p.2 
EMB35N04CS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP
MAX
STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage 
V(BR)DSS 
VGS = 0V, ID = 250A 
40  
 
V 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS = VGS, ID = 250A 
1.0 
2.0
3.0 
Gate‐Body Leakage 
IGSS 
VDS = 0V, VGS = ±20V  
 
±100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS 
VDS = 32V, VGS = 0V  
 
1 
A
VDS = 30V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  
 
25 
On‐State Drain Current
1 
ID(ON) 
VDS = 10V, VGS = 10V 
12  
 
A 
Drain‐Source On‐State Resistance
1 
RDS(ON) 
VGS = 10V, ID = 10A  
24
28 
mΩ
VGS = 4.5V, ID = 8A  
38
45 
Forward Transconductance
1 
gfs 
VDS = 5V, ID = 10A  
19
 
S 
DYNAMIC 
Input Capacitance 
Ciss  
VGS = 0V, VDS = 20V, f = 1MHz 
 
527
 
pF
Output Capacitance 
Coss  
81
 
Reverse Transfer Capacitance  
Crss  
59
 
Gate Resistance 
Rg 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz  
2.5
 Ω 
Total Gate Charge
1,2 
Qg 
VDS = 20V, VGS = 10V, 
ID = 10A 
 
13.7
 
nC
Gate‐Source Charge
1,2 
Qgs  
2.1
 
Gate‐Drain Charge
1,2 
Qgd  
4.2
 
Turn‐On Delay Time
1,2 
td(on)  
 
10
 
nS
Rise Time
1,2 
tr 
VDS = 20V,  
 
8.5
 
Turn‐Off Delay Time
1,2 
td(off) 
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
13
 
Fall Time
1,2 
tf  
 
15
 
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
IS  
 
 
12 
A 
Pulsed Current
3 
ISM  
 
 
48 
Forward Voltage
1 
VSD 
IF = IS, VGS = 0V  
 
1.3 
V 
Reverse Recovery Time  
trr 
IF = 5A, dlF/dt = 100A / S 
 
15
 
nS
Reverse Recovery Charge 
Qrr  
 
8  
nC
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2Independent of operating temperature. 



Html Pages

1 2 3 4 5


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com