| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTP110N12T2 датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTP110N12T2 датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 6 page ![]() IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXTA110N12T2 IXTP110N12T2 Fig. 7. Input Admittance 0 40 80 120 160 200 3.03.5 4.04.5 5.0 5.5 6.06.5 7.07.5 VGS - Volts VDS = 10V TJ = 150 oC 25 oC - 40 oC Fig. 8. Transconductance 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 40 80 120 160 200 240 ID - Amperes VDS = 10V TJ = - 40 oC 25 oC 150 oC Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 VSD - Volts TJ = 150 oC TJ = 25 oC Fig. 10. Gate Charge 0 2 4 6 8 10 0 20 40 60 80 100 120 QG - NanoCoulombs VDS = 60V I D = 55A I G = 10mA Fig. 11. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area 0.1 1 10 100 1000 1 10 100 1,000 VDS - Volts 100μs 1ms 10ms RDS(on) Limit TJ = 175 oC TC = 25 oC Single Pulse DC |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |