 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IRFB3306 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRFB3306 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3306，IIRFB3306 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID =250μA 60 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID =150μA 2 4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS=10V; ID=75A 4.2 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±20V ±100 nA IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=60V; VGS= 0V 20 μ A VSD Diode forward voltage IS=75A; VGS = 0V 1.3 V |
Аналогичный номер детали - IRFB3306 |
|
Аналогичное описание - IRFB3306 |
|
|
|
ссылки URL |
| Конфиденциальность |
| ALLDATASHEETRU.COM |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
