| поискавой системы для электроныых деталей |
|
RN1007 датащи(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RN1007 датащи(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
2 / 5 page ![]() RN1007 ~RN1009 2001-06-07 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Circuit Test Condition Min Typ. Max Unit ICBO VCB = 50V, IE = 0 ― ― 100 Collector cut-off current ICEO ― VCE = 50V, IB = 0 ― ― 500 nA RN1007 VEB = 6V, IC = 0 0.081 ― 0.15 RN1008 VEB = 7V, IC = 0 0.078 ― 0.145 Emitter cut-off current RN1009 IEBO ― VEB = 15V, IC = 0 0.167 ― 0.311 mA RN1007 80 ― ― RN1008 80 ― ― DC current gain RN1009 hFE ― VCE = 5V, IC = 10mA 70 ― ― Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) ― IC = 5mA, IB = 0.25mA ― 0.1 0.3 V RN1007 0.7 ― 1.8 RN1008 1.0 ― 2.6 Input voltage (ON) RN1009 VI (ON) ― VCE = 0.2V, IC = 5mA 2.2 ― 5.8 V RN1007 0.5 ― 1.0 RN1008 0.6 ― 1.16 Input voltage (OFF) RN1009 VI (OFF) ― VCE = 5V, IC = 0.1mA 1.5 2.6 V Transition frequency fT ― VCE = 10V, IC = 5mA ― 250 ― MHz Collector Output capacitance Cob ― VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF RN1007 7 10 13 RN1008 15.4 22 28.6 Input resistor RN1009 R1 ― 32.9 47 61.1 kΩ RN1007 0.191 0.213 0.232 RN1008 0.421 0.468 0.515 Resistor ratio RN1009 R1/R2 ― 1.92 2.14 2.35 ― |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |