MTP6N60E pdf, MTP6N60E подробное описание детали, MTP6N60E датащи, MTP6N60E view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	MTP6N60E

подробное описание детали	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS

объем файла	156.71 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8

производитель	MOTOROLA [Motorola, Inc]

домашняя страница	http://www.freescale.com

Logo

Аналогичный номер детали - MTP6N60E

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
ON Semiconductor	MTP6N60E	177Kb / 8P	Power Field Effect Transistor May, 2013 ??Rev. 7
Inchange Semiconductor ...	MTP6N60E	295Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Motorola, Inc	MTB6N60E	192Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS
	MTB6N60E1	160Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS
	MTD4N20E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHM
	MTD6N10E	211Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM
	MTD6N15	231Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS