SCTH90N65G2V-7 pdf, SCTH90N65G2V-7 подробное описание детали, SCTH90N65G2V-7 датащи, SCTH90N65G2V-7 view ::: ALLDATASHEET :::

номер детали	SCTH90N65G2V-7

подробное описание детали	Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H²PAK?? package

объем файла	618.75 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

производитель	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

домашняя страница	http://www.st.com

Logo

Аналогичный номер детали - SCTH90N65G2V-7

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Inchange Semiconductor ...	SCTH90N65G2V-7	621Kb / 3P	isc N-Channel SiC MOSFET Transistor

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
STMicroelectronics	SCTH35N65G2V-7AG	620Kb / 15P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package 24-Jan-2020
	SCTW100N65G2AG	423Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package 21-Nov-2018
	SCTW100N120G2AG	217Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package 23-Jul-2020
	SCTW35N65G2VAG	206Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 09-Sep-2020
	SCTW60N120G2AG	197Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 18-May-2020
	SCTWA35N65G2VAG	243Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package 11-Aug-2020
	SCT018H65G3AG	390Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package 07-Oct-2022
	SCT040H65G3AG	389Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package 21-Jan-2022