поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

IRG4BC30KD-STRR датащи (PDF) - International Rectifier
IRG4BC30KD-STRR Datasheet PDF - International Rectifier
номер детали IRG4BC30KD-STRR
скачать  IRG4BC30KD-STRR скачать
объем файла   225.23 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  IRF [International Rectifier]
домашняя страница  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
подробное описание детали INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4BC30KD-STRR Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
IRG4BC30KD-STRR Datasheet PDF - International Rectifier

номер детали IRG4BC30KD-STRR
скачать  IRG4BC30KD-STRR Click to download

объем файла   225.23 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  IRF [International Rectifier]
домашняя страница  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
подробное описание детали INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4BC30KD-STRR датащи (HTML) - International Rectifier


IRG4BC30KD-STRR Информация о продукте

Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses
• This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products
• For hints see design tip 97003




Аналогичный номер детали - IRG4BC30KD-STRR

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
International Rectifier		 IRG4BC30KD-SPBF IRF-IRG4BC30KD-SPBF Datasheet
350Kb / 10P		 INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC30KD-SPBF IRF-IRG4BC30KD-SPBF Datasheet
376Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC30KD-SPBF IRF-IRG4BC30KD-SPBF_15 Datasheet
376Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
More results


Аналогичное описание - IRG4BC30KD-STRR

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
International Rectifier		 IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC30K IRF-IRG4BC30K Datasheet
137Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD IRF-IRG4BC30KD Datasheet
196Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KS IRF-IRG4BC30KS Datasheet
161Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30K IRF-IRG4PC30K Datasheet
121Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30KD IRF-IRG4PC30KD Datasheet
178Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRGPC30MD2 IRF-IRGPC30MD2 Datasheet
421Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KS IRF-IRG4BC30KS_04 Datasheet
263Kb / 9P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
More results




О International Rectifier

Международный выпрямитель (IR) был американской компанией, которая специализировалась на разработке и производстве полупроводников управления энергоснабжением и управления энергетикой.
Компания была основана в 1947 году и была со штаб -квартирой в Эль -Сегундо, штат Калифорния.
IR предоставил широкий спектр продуктов, включая ICS управления энергопотреблением, электростанции, IGBT и другие продукты управления энергопотреблением.
Продукты компании использовались в различных приложениях, таких как вычисления, телекоммуникации и промышленная автоматизация.
IR был известен своим опытом в области управления энергетикой и контроля и способности предоставлять высококачественные и надежные продукты своим клиентам.
В 2014 году IR была приобретена Infineon Technologies, ведущим поставщиком продуктов управления энергетикой и контроля и других полупроводниковых решений.
Международный бренд выпрямителя больше не используется, но его технология и продукты по -прежнему являются частью портфеля Infineon.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com