поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

IRG4BC10UD датащи (PDF) - International Rectifier
IRG4BC10UD Datasheet PDF - International Rectifier
номер детали IRG4BC10UD
скачать  IRG4BC10UD скачать
объем файла   184.74 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  IRF [International Rectifier]
домашняя страница  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
подробное описание детали INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4BC10UD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
IRG4BC10UD Datasheet PDF - International Rectifier

номер детали IRG4BC10UD
скачать  IRG4BC10UD Click to download

объем файла   184.74 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  IRF [International Rectifier]
домашняя страница  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
подробное описание детали INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4BC10UD датащи (HTML) - International Rectifier


IRG4BC10UD Информация о продукте

UltraFast CoPack IGBT
   
Features
• UltraFast: Optimized for high operating
    up to 80 kHz in hard switching, >200 kHz in
    resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
    parameter distribution and higher efficiency than
    previous Generation
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
    ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
    bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package
   
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies
    available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
    IGBTs . Minimized recovery characteristics require
        less/no snubbing
   




Аналогичный номер детали - IRG4BC10UD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
International Rectifier		 IRG4BC10UDPBF IRF-IRG4BC10UDPBF Datasheet
323Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4BC10UDPBF IRF-IRG4BC10UDPBF Datasheet
323Kb / 11P		 INDUSTRY STANDARD TO-220AB PACKAGE
IRG4BC10UDPBF IRF-IRG4BC10UDPBF_15 Datasheet
323Kb / 11P		 INDUSTRY STANDARD TO-220AB PACKAGE
More results


Аналогичное описание - IRG4BC10UD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
International Rectifier		 IRG4BC10KD IRF-IRG4BC10KD Datasheet
210Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30UD IRF-IRG4BC30UD Datasheet
234Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PH20KD IRF-IRG4PH20KD Datasheet
276Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K IRF-IRG4RC10K Datasheet
134Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10KD IRF-IRG4RC10KD Datasheet
190Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10U IRF-IRG4RC10U Datasheet
131Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10UD IRF-IRG4RC10UD Datasheet
191Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
More results




О International Rectifier

Международный выпрямитель (IR) был американской компанией, которая специализировалась на разработке и производстве полупроводников управления энергоснабжением и управления энергетикой.
Компания была основана в 1947 году и была со штаб -квартирой в Эль -Сегундо, штат Калифорния.
IR предоставил широкий спектр продуктов, включая ICS управления энергопотреблением, электростанции, IGBT и другие продукты управления энергопотреблением.
Продукты компании использовались в различных приложениях, таких как вычисления, телекоммуникации и промышленная автоматизация.
IR был известен своим опытом в области управления энергетикой и контроля и способности предоставлять высококачественные и надежные продукты своим клиентам.
В 2014 году IR была приобретена Infineon Technologies, ведущим поставщиком продуктов управления энергетикой и контроля и других полупроводниковых решений.
Международный бренд выпрямителя больше не используется, но его технология и продукты по -прежнему являются частью портфеля Infineon.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com