поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

MMSF3P02HD датащи (PDF) - ON Semiconductor

MMSF3P02HD Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали MMSF3P02HD
скачать  MMSF3P02HD скачать
объем файла   102.92 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO??

MMSF3P02HD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
MMSF3P02HD Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали MMSF3P02HD
скачать  MMSF3P02HD Click to download

объем файла   102.92 Kbytes
Page   8 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO??

MMSF3P02HD датащи (HTML) - ON Semiconductor


MMSF3P02HD Информация о продукте

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc−dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives. The avalanche energy is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Features
• Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Logic Level Gate Drive − Can Be Driven by Logic ICs
• Miniature SO−8 Surface Mount Package − Saves Board Space
• Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed, With Soft Recovery
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for SO−8 Package Provided
• Pb−Free Package is Available




Аналогичный номер детали - MMSF3P02HD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Motorola, Inc
MMSF3P02HD MOTOROLA-MMSF3P02HD Datasheet
302Kb / 10P
SINGLE TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS
logo
VBsemi Electronics Co.,...
MMSF3P02HDR2G VBSEMI-MMSF3P02HDR2G Datasheet
1Mb / 9P
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
More results


Аналогичное описание - MMSF3P02HD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor
NTMS10P02R2 ONSEMI-NTMS10P02R2 Datasheet
92Kb / 6P
Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel Enhancement?묺ode Single SO?? Package
December, 2003 ??Rev. 2
MMDF3N02HD ONSEMI-MMDF3N02HD Datasheet
127Kb / 12P
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL
November, 2000 ??Rev. 6
NTGS3443T1 ONSEMI-NTGS3443T1 Datasheet
69Kb / 6P
Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P?묬hannel TSOP??
December, 2003 ??Rev. 2
MMDF3N06VL ONSEMI-MMDF3N06VL Datasheet
52Kb / 4P
Power MOSFET 3 Amps, 60 Volts N?묬hannel SO??, Dual
April, 2004 ??Rev. 2
MMDF2P02E ONSEMI-MMDF2P02E Datasheet
99Kb / 7P
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P?묬hannel SO??, Dual
April, 2006 ??Rev. 8
MMDF2P02HD ONSEMI-MMDF2P02HD Datasheet
100Kb / 8P
Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO??, Dual
February, 2006 ??Rev. 7
MTP12P10 ONSEMI-MTP12P10 Datasheet
78Kb / 6P
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P?묬hannel TO??20
June, 2006 ??Rev. 4
NTF6P02T3-D ONSEMI-NTF6P02T3-D_10 Datasheet
143Kb / 6P
Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23
January, 2010 ??Rev. 3
MMDF7N02ZR2 ONSEMI-MMDF7N02ZR2 Datasheet
256Kb / 12P
Power MOSFET 7 Amps, 20 Volts N?묬hannel SO??, Dual
September, 2004?뭃ev. XXX
MMDF2P03HDR2 ONSEMI-MMDF2P03HDR2 Datasheet
236Kb / 10P
Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts P?묬hannel SO??, Dual
August, 2006 ??Rev. 8
More results




О ON Semiconductor


«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com