поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

M1F80M12W2-1LA датащи (PDF) - STMicroelectronics

M1F80M12W2-1LA Datasheet PDF - STMicroelectronics
номер детали M1F80M12W2-1LA
скачать  M1F80M12W2-1LA скачать
объем файла   3556.56 Kbytes
Page   14 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive‑grade ACEPACK DMT‑32 power module, fourpack topology, 1200 V, 78 mΩ typ. SiC Power MOSFET with NTC

M1F80M12W2-1LA Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
M1F80M12W2-1LA Datasheet PDF - STMicroelectronics

номер детали M1F80M12W2-1LA
скачать  M1F80M12W2-1LA Click to download

объем файла   3556.56 Kbytes
Page   14 Pages
производитель  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
домашняя страница  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
подробное описание детали Automotive‑grade ACEPACK DMT‑32 power module, fourpack topology, 1200 V, 78 mΩ typ. SiC Power MOSFET with NTC

M1F80M12W2-1LA датащи (HTML) - STMicroelectronics


M1F80M12W2-1LA Информация о продукте

Features
• AQG 324 qualified
• 1200 V blocking voltage
• 78 mΩ of typical RDS(on)
• Maximum operating junction temperature TJ = 175 °C
• DBC Cu-AlN-Cu based substrate to improve thermal performance
• Isolation voltage 3 kV
• Integrated NTC temperature sensor

Applications
• On board charger (OBC)

Description
This ACEPACK DMT-32 power module realizes a fourpack topology with integrated
NTC, tailored for DC/DC converter stage of the OBC in hybrid and electric vehicles.
The power module features four silicon carbide Power MOSFETs of 2nd generation
from STMicroelectronics. Thanks to the well-recognized chip technology, the
ACEPACK DMT-32 ensures the best compromise between energy losses and high
switching frequency operation mode. This module allows you to create complex
topologies with very high power densities as well as high efficiency requirements.
The AlN insulated substrate enables optimal thermal performance. Moreover, thanks
to the specific design featuring grooves on the molding ensure a high creepage
distance.




Аналогичный номер детали - M1F80M12W2-1LA

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Shindengen Electric Mfg...
M1F80 SHINDENGEN-M1F80 Datasheet
283Kb / 6P
General Purpose Rectifiers(800V 1A)
More results


Аналогичное описание - M1F80M12W2-1LA

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
STMicroelectronics
A1TB45W65M5-FC STMICROELECTRONICS-A1TB45W65M5-FC Datasheet
445Kb / 14P
ACEPACK 1 power module, boost topology 650 V, MDmesh M5 Power MOSFETs with SiC diode and NTC
A2F12M12W2-F1 STMICROELECTRONICS-A2F12M12W2-F1 Datasheet
565Kb / 15P
ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 1200 V, 13 mΩ typ. SiC Power MOSFET gen.2 with NTC
A2U12M12W2-F1C STMICROELECTRONICS-A2U12M12W2-F1C Datasheet
478Kb / 14P
ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 100 A based on SiC Power MOSFET
A2U12M12W2-F2 STMICROELECTRONICS-A2U12M12W2-F2 Datasheet
482Kb / 15P
ACEPACK 2 power module, 3‑level topology, 1200 V, 13 mΩ typ. SiC Power MOSFET gen.2 with NTC
ADP280120W3 STMICROELECTRONICS-ADP280120W3 Datasheet
8Mb / 15P
Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 3.8 m typ. SiC MOSFET gen.3 based
12-Oct-2022
ADP360120W3 STMICROELECTRONICS-ADP360120W3 Datasheet
8Mb / 15P
Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 2.55 m typ. SiC MOSFET gen.3 based
19-Oct-2022
ADP480120W3-L STMICROELECTRONICS-ADP480120W3-L Datasheet
2Mb / 15P
Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 1.9 m typ. SiC MOSFET gen.3 based
10-Aug-2022
ADP480120W3 STMICROELECTRONICS-ADP480120W3 Datasheet
8Mb / 15P
Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 1.9 m typ. SiC MOSFET gen.3 based
13-Oct-2022
logo
Microchip Technology
MSC080SMA120B4 MICROCHIP-MSC080SMA120B4 Datasheet
5Mb / 15P
1200 V, 80 mΩ SiC N-Channel Power MOSFET
12/2022 Revision B
MSC360SMA120S MICROCHIP-MSC360SMA120S Datasheet
6Mb / 16P
1200 V, 360 mΩ SiC N-Channel Power MOSFET
01/2022 Revision A
More results




О STMicroelectronics


STMicroElectronics - это многонациональный производитель электроники и полупроводников, базирующийся в Женеве, Швейцария.

Компания предлагает широкий спектр продуктов, включая микроконтроллеры, датчики, усилители мощности и интегрированные схемы для различных применений на автомобильных, промышленных и потребительских рынках.

Основанная в 1987 году, Stmicroelectronics работает в более чем 100 странах и является одной из крупнейших полупроводниковых компаний в мире.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com