поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

Preview PDF HTML

AFGY160T65SPD датащи (PDF) - ON Semiconductor
AFGY160T65SPD Datasheet PDF - ON Semiconductor
номер детали AFGY160T65SPD
скачать  AFGY160T65SPD скачать
объем файла   3437.39 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

AFGY160T65SPD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page скачать датащи
AFGY160T65SPD Datasheet PDF - ON Semiconductor

номер детали AFGY160T65SPD
скачать  AFGY160T65SPD Click to download

объем файла   3437.39 Kbytes
Page   10 Pages
производитель  ONSEMI [ON Semiconductor]
домашняя страница  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
подробное описание детали IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

AFGY160T65SPD датащи (HTML) - ON Semiconductor


AFGY160T65SPD Информация о продукте

Benefits
• Very Low Conduction and Switching Losses for a High Efficiency
Operation in Various Applications
• Rugged Transient Reliability
• Outstanding Parallel Operation Performance with Balance Current Sharing
• Low EMI

Features
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 160 A
• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
• Positive Temperature Co−Efficient
• Tight Parameter Distribution
• High Input Impedance
• 100% of the Parts are Dynamically Tested
• Short circuit ruggedness > 6 s @ 25°C
• Copacked with Soft, Fast Recovery Extremefast Diode
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications
• Traction Inverter for HEV/EV
• Auxiliary DC/AC Converter
• Motor Drives
• Other Power−Train Applications Requiring High Power Switch




Аналогичный номер детали - AFGY160T65SPD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 AFGY160T65SPD-B4 ONSEMI-AFGY160T65SPD-B4 Datasheet
2Mb / 11P		 Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning
June, 2020 ??Rev. 2
AFGY160T65SPD-B4 ONSEMI-AFGY160T65SPD-B4 Datasheet
2Mb / 12P		 Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A
July, 2024 - Rev. 3
AFGY160T65SPD-B4 ONSEMI-AFGY160T65SPD-B4_V01 Datasheet
2Mb / 12P		 Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A
July, 2024 - Rev. 3
More results


Аналогичное описание - AFGY160T65SPD

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
ON Semiconductor		 AFGHL50T65SQD ONSEMI-AFGHL50T65SQD Datasheet
257Kb / 9P		 Field Stop Trench IGBT 50A, 650V
January, 2020 ??Rev. 1
AFGHL75T65SQDT ONSEMI-AFGHL75T65SQDT Datasheet
260Kb / 9P		 Field Stop Trench IGBT 650 V, 75 A
November, 2019 ??Rev. 0
AFGY100T65SPD ONSEMI-AFGY100T65SPD Datasheet
252Kb / 9P		 Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V
July, 2020 ??Rev. 0
AFGY120T65SPD ONSEMI-AFGY120T65SPD Datasheet
254Kb / 9P		 Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 120A, 650V
July, 2020 ??Rev. 0
FGAF40S65AQ ONSEMI-FGAF40S65AQ Datasheet
491Kb / 10P		 Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A
May, 2021 ??Rev. 3
FGH40T65SPD ONSEMI-FGH40T65SPD Datasheet
585Kb / 9P		 IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A
November, 2020 ??Rev. 4
FGH75T65SQD ONSEMI-FGH75T65SQD Datasheet
532Kb / 10P		 IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A
April, 2020 ??Rev. 5
FGHL40S65UQ ONSEMI-FGHL40S65UQ Datasheet
311Kb / 10P		 Field Stop Trench IGBT 40 A, 650 V
May, 2019 ??Rev. P0
FGH40T65SHDF ONSEMI-FGH40T65SHDF Datasheet
503Kb / 9P		 IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A
November, 2020 ??Rev. 4
FGAF30S65AQ ONSEMI-FGAF30S65AQ Datasheet
302Kb / 9P		 Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 V
June, 2020 - Rev. 2
More results




О ON Semiconductor

«ON Semiconductor находится общедоступная компания, которая разрабатывает, разрабатывает и производит широкий спектр полупроводниковых продуктов для различных приложений, включая автомобильные, вычислительные, потребительские товары, промышленные и коммуникационные рынки.
Компания была основана в 1999 году и со штаб -квартирой в Фениксе, штат Аризона.
На полупроводнике предлагается широкий портфель управления энергопотреблением, аналоговых и дискретных полупроводников, включая электростанции, диоды, выпрямители, регуляторы напряжения и другие.
Продукты компании предназначены для того, чтобы быть энергоэффективными, надежными и экономически эффективными и используются в различных приложениях, включая портативную электронику, системы промышленной автоматизации, системы возобновляемых источников энергии и автомобильную электронику.
По полупроводнику привержен инновациям и удовлетворенности клиентов и стремится предоставить лучшие полупроводниковые решения для удовлетворения потребностей наших клиентов ».

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.




ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com