поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

быстрый вызов   IRF9530(57) резутат.
соответствуя,
Like
 IRF9530(10) IRF9530N(4) IRF9530S(4)
начиная  IRF9530*(45) IRF9530-*(1) IRF9530N*(23) IRF9530P*(6) IRF9530S*(7)
канчевая   No Data
включая  *IRF9530*(1)
производитель


IRF9530 датащи, PDF

результат номера деталя : соответствуя&начиная with "IRF9530" - итог : 56 ( 1/3 Page)
производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Samsung semiconductor
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
508Kb/12P
P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
378Kb/6P
P-CHANNEL POWER MOSFETS
logo
Vishay Siliconix
IRF9530 VISHAY-IRF9530 Datasheet
566Kb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF9530 VISHAY-IRF9530 Datasheet
158Kb/8P
Power MOSFET
16-Aug-2021
logo
Intersil Corporation
IRF9530 INTERSIL-IRF9530 Datasheet
63Kb/7P
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
July 1999
logo
International Rectifier
IRF9530 IRF-IRF9530 Datasheet
449Kb/6P
TRANSISTORS
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF9530 ISC-IRF9530 Datasheet
303Kb/2P
isc P-Channel Mosfet Transistor
logo
SYC Electronica
IRF9530 SYC-IRF9530 Datasheet
155Kb/6P
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
logo
Guangdong Kexin Industr...
IRF9530 KEXIN-IRF9530 Datasheet
1Mb/3P
P-Channel MOSFET
logo
List of Unclassifed Man...
IRF9530 ETC2-IRF9530 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
logo
Seme LAB
IRF9530-220M SEME-LAB-IRF9530-220M Datasheet
18Kb/2P
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
logo
International Rectifier
IRF9530N IRF-IRF9530N Datasheet
113Kb/8P
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
logo
Kersemi Electronic Co.,...
IRF9530N KERSEMI-IRF9530N Datasheet
2Mb/7P
Advanced Process Technology
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF9530N ISC-IRF9530N Datasheet
335Kb/2P
P-Channel MOSFET Transistor
logo
International Rectifier
IRF9530NL IRF-IRF9530NL Datasheet
173Kb/10P
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
logo
Kersemi Electronic Co.,...
IRF9530NL KERSEMI-IRF9530NL Datasheet
1Mb/10P
Advanced Process Technology
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF9530NL ISC-IRF9530NL Datasheet
273Kb/2P
isc P-Channel MOSFET Transistor
logo
International Rectifier
IRF9530NLPBF IRF-IRF9530NLPBF Datasheet
758Kb/10P
Advanced Process Technology Surface Mount
IRF9530NLPBF IRF-IRF9530NLPBF Datasheet
767Kb/11P
Advanced Process Technology
IRF9530NPBF IRF-IRF9530NPBF Datasheet
123Kb/9P
HEXFET짰 Power MOSFET

12 3


12 3



Краткое описание IRF9530


IRF9530-это P-канальный MOSFET, который является типом транзистора, используемого для усиления или переключения электронных сигналов. В отличие от его N-канальных аналогов, ток источника P-канала, когда напряжение, приложенное к затвору, меньше, чем напряжение источника (напряжение отрицательного источника для устройств режима улучшения). Они обычно используются в приложениях, где переключение нагрузки контролируется заземленной или отрицательной стороной цепи.

Ключевые характеристики IRF9530 включают:

VDS (напряжение разбивки источника дренажа): Это максимальное напряжение, которое может быть применено от дренажа к источнику с затвором, закрепленным к источнику, которое для IRF9530, как правило, составляет около -100 В.

ID (непрерывный ток дренажа): IRF9530 может обрабатывать значительное количество непрерывного тока, часто оцениваемого около -12A, что делает его подходящим для применения с высоким содержанием тока.

RDS (ON) (устойчивость к источникам источника): сопротивление в штате между канализацией и источником при включении MOSFET; Для IRF9530 это относительно низкое, что помогает уменьшить потери мощности.

VGS (TH) (пороговое напряжение затвора): напряжение, при котором MOSFET начинает включаться, которое для устройств P -канала, таких как IRF9530, представляет собой отрицательное напряжение, обычно от -2 В до -4 В.

Рассеяние мощности: максимальное количество мощности, которое может рассеивать IRF9530, важен для понимания тепловых ограничений, и, как правило, около 48 Вт.

Пакет: он доступен в 220 и аналогичных пакетах, которые обычно используются для силовых устройств.

Рабочая температура: Диапазон рабочей температуры является фактором для стабильности и надежности, и для IRF9530 это, как правило, между -55 ° C до +150 ° C.

P-канальные MOSFET, такие как IRF9530, полезны для создания более простых схем привода, особенно в конфигурациях с высокой стороной переключения, поскольку им не требуется зарядный насос или другую сложную схему привода, чтобы применить положительное напряжение в затворе. Они распространены в цепях управления энергопотреблением, управления двигателем и других приложений переключения электроэнергии.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com