поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

быстрый вызов   IRF540(107) резутат.
соответствуя,
Like
 IRF540(18) IRF540A(3) IRF540D(1) IRF540F(1) IRF540I(1) IRF540N(7) IRF540S(5) IRF540Z(3)
начиная  IRF540*(78) IRF540F*(2) IRF540N*(25) IRF540P*(3) IRF540S*(8) IRF540Z*(19)
канчевая   No Data
включая  *IRF540*(8)
производитель


IRF540 датащи, PDF

результат номера деталя : соответствуя&начиная with "IRF540" - итог : 99 ( 1/5 Page)
производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
NXP Semiconductors
IRF540 PHILIPS-IRF540 Datasheet
86Kb/9P
N-channel TrenchMOS transistor
August 1999 Rev 1.100
logo
STMicroelectronics
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
53Kb/6P
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
Apr-1998
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
311Kb/8P
N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
Feb-2003
logo
Vishay Siliconix
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
282Kb/9P
Power MOSFET
21-Mar-11
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
156Kb/8P
Power MOSFET
02-Aug-2021
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540 FAIRCHILD-IRF540 Datasheet
146Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
logo
International Rectifier
IRF540 IRF-IRF540 Datasheet
177Kb/6P
HEXFET POWER MOSFET
logo
Kersemi Electronic Co.,...
IRF540 KERSEMI-IRF540 Datasheet
6Mb/7P
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
logo
Nell Semiconductor Co.,...
IRF540 NELLSEMI-IRF540 Datasheet
338Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
984Kb/3P
25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
103Kb/3P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
logo
First Silicon Co., Ltd
IRF540 FS-IRF540 Datasheet
1Mb/4P
N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
logo
SYC Electronica
IRF540 SYC-IRF540 Datasheet
259Kb/7P
N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540 ISC-IRF540 Datasheet
308Kb/2P
N-Channel Power MOSFET
logo
Nanjing International G...
IRF540 DGNJDZ-IRF540 Datasheet
2Mb/7P
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
logo
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...
IRF540 DOINGTER-IRF540 Datasheet
1Mb/5P
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
logo
List of Unclassifed Man...
IRF540 ETC2-IRF540 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540A FAIRCHILD-IRF540A Datasheet
256Kb/7P
Advanced Power MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540A ISC-IRF540A Datasheet
280Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor

12 3 4 5


12 3 4 5



Краткое описание IRF540


IRF540-это популярный мощный MOSFET (металлооксид-полупроводник по полевым транзистору), используемый в электронных цепях для мощных применений переключения и усиления. Он является частью серии IRF мощных мосфетов и известна своей способностью обрабатывать относительно высокие токи и напряжения. Вот некоторые ключевые функции и спецификации MOSFET IRF540:

Полярность: n-канал.

IRF540 представляет собой N-канальный MOSFET, который означает, что он использует электронный поток для переключения и управления электрическим током.
Напряжение источника дренажа (VDS): обычно оценивается при 100 В.

Максимальное напряжение, которое может быть применено между клеммами дренаж и исходным исходным
Непрерывный ток дренажа (ID): обычно оценивается в 33а.

Максимальный ток, который МОСФЕТ может непрерывно обрабатывать в состоянии ON.
На резистентности (RDS (ON): обычно низкий, часто в диапазоне Milliohm.

Сопротивление между сливами и исходными терминалами, когда MOSFET полностью включен.
Пороговое напряжение затвора (VGS (TH)): обычно от 2 В до 4 В.

Напряжение, необходимое для включения МОСФЕТА.
Напряжение источника затвора (VGS): обычно оценивается до ± 20 В.

Максимальное напряжение, которое может быть применено между затвором и исходными клеммами.
Пакет: IRF540, как правило, доступен в пакетах TO-220 или TO-220AB, которые обеспечивают хорошие тепловые характеристики и простоту монтажа до радиатора для охлаждения.

Приложения: MOSFET IRF540 обычно используется в мощных приложениях, таких как расходные материалы по переключению питания, схемы управления двигателем, выходные этапы усилителя и другие приложения, которые требуют высокопрочного переключения.

Рассеяние тепла: IRF540 может генерировать тепло во время работы, поэтому для мощных мощных применений может быть необходимо достаточное тепловое управление, включая нагревание.

Рейтинг энергии Avalanche: IRF540 имеет рейтинг энергии лавины, который указывает количество энергии, которое MOSFET может безопасно поглощать во время переходных пиков напряжения.

Эквивалент для IRF540


IRF540 — это N-канальный МОП-транзистор, обычно используемый для сильноточных коммутационных приложений, имеющий максимальное напряжение сток-исток 100 В и непрерывный ток стока 28 А. Несколько МОП-транзисторов имеют схожие характеристики и могут служить заменой:

ИРФ540Н:

Усовершенствованная версия IRF540, предлагающая улучшенную производительность.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Непрерывный ток стока: 33А.
Меньшее сопротивление включения, что приводит к более высокому КПД.
ИРФЗ44Н:

N-канальный МОП-транзистор с сопоставимыми номиналами напряжения и тока.
Максимальное напряжение сток-исток: 55В.
Непрерывный ток стока: 49А.
Более низкое номинальное напряжение; обеспечить совместимость с вашим приложением.
ИРЛЗ44Н:

N-канальный МОП-транзистор логического уровня, подходящий для управления низковольтным затвором.
Максимальное напряжение сток-исток: 55В.
Непрерывный ток стока: 47А.
Идеально подходит для взаимодействия с микроконтроллерами.
STP55NF06:

N-канальный МОП-транзистор с аналогичными характеристиками.
Максимальное напряжение сток-исток: 60В.
Непрерывный ток стока: 50А.
Подходит для различных коммутационных приложений.
БУЗ11:

N-канальный МОП-транзистор с сопоставимыми номиналами.
Максимальное напряжение сток-исток: 50В.
Непрерывный ток стока: 30А.
Обычно используется в автомобильной промышленности.
При выборе замены учитывайте следующие факторы:

Номинальные значения напряжения и тока. Убедитесь, что заменяющий МОП-транзистор способен выдерживать требуемые уровни напряжения и тока в вашей схеме.
Сопротивление включения (RDS(on)): более низкое сопротивление включения приводит к повышению эффективности и снижению тепловыделения.
Пороговое напряжение затвора: убедитесь, что напряжение управления затвором в вашей конструкции достаточно для полного включения МОП-транзистора.
Тип корпуса и конфигурация выводов: убедитесь, что физический корпус и распиновка совместимы с вашей схемой.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com