2N7002T датащи, PDF - Datasheet Search Engine

поискавой системы для электроныых деталей

ALLDATASHEETRU.COM

X

быстрый вызов	2N7002T(65) резутат.
соответствуя, Like	2N7002T(26) 2N7002T.(1) 2N7002TB(1) 2N7002TE(1) 2N7002TQ(1)
начиная	2N7002T(25) 2N7002T-(9) 2N7002TG(3) 2N7002TL(2) 2N7002TP(1) 2N7002TQ(6)
канчевая	*M2N7002T(1)
включая	2N7002T(3)

производитель

2N7002T датащи, PDF

результат номера деталя : соответствуя&начиная with "2N7002T" - итог : 61 ( 1/4 Page)

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

12 3 4

12 3 4

Краткое описание 2N7002T

2N7002T представляет собой небольшой сигнальный мосфет с небольшим сигналом (металлический транзистор-экзаменатор-оксид-полупроводник). МОПЕТЫ широко используются в электронных схемах для их способности контролировать и усилить электронные сигналы. 2N7002T предназначен для применений с низким энергопотреблением и обычно используется для целей переключения и усиления.

Вот некоторые ключевые спецификации MOSFET 2N7002T:

Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение источника источника (VDS): 60 В
Максимальное напряжение источника (VGS): ± 20 В
Максимальный непрерывный ток дренажа (ID): 115 мА
Максимальная рассеяние мощности (PD): 360 МВт
Пороговое напряжение (VTH): обычно около 1,5 В
На резистентности (RDS (ON)): обычно около 5 Ом при VGS = 4,5 В

MOSFET 2N7002T обычно используется для приложений с низким напряжением переключения. Он предлагает низкое пороговое напряжение, что означает, что его можно легко управлять сигналами низкого напряжения. Устойчивость на резистентности относительно низкая, что позволяет эффективно переключить операции.

Эквивалент для 2N7002T

2N7002T представляет собой специфический тип N-канального MOSFET (металлический оксид-полупроводник поля транзистора), обычно используемого для применений переключения с низким энергопотреблением. Хотя точная замена с тем же номером детали может быть недоступна, есть альтернативные варианты, которые можно рассмотреть. Вот несколько потенциальных замены для MOSFET 2N7002T:

IRF5305: IRF5305 представляет собой N-канальный MOSFET с максимальным током слива 31А и максимальным напряжением источника дренажного источника 55 В. Он имеет сходные электрические характеристики на 2N7002T и может использоваться в качестве замены во многих приложениях с низким энергопотреблением.

BS170: BS170 представляет собой еще один N-канальный MOSFET с максимальным током слива 0,5А и максимальным напряжением источника 60 В. Он обычно используется в цепях переключения с низким энергопотреблением и может использоваться в качестве замены для 2N7002T в определенных приложениях.

BSS138: BSS138 представляет собой N-канальный MOSFET с максимальным током слива 0,17А и максимальным напряжением дренажного источника 50 В. Он часто используется в приложениях с низким энергопотреблением и может рассматриваться как замена для 2N7002T в подходящих цепях.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

ссылки URL

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]

Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com