2N60 датащи, PDF

2N60 представляет собой N-канальный MOSFET, который оптимизирован для применений силовых напряжений, предлагая такие функции, как быстрое переключение, низкий заряд и низкое сопротивление в штате. Он также предназначен для противостояния бурной лавины. Эти функции обычно используются в расходных материалах, управлении двигателями ШИМ, преобразователям округа Колумбия в DC и мостовых цепях.

Вот краткое изложение характеристик 2N60:

Слейте к источнику напряжения (V_DSS): он может переносить до 600 В, что является максимальным напряжением между канализацией и источником при выключении MOSFET.

Веревка к напряжению источника (V_GSS): он поддерживает ворот к напряжению источника ± 30 В.

Ток слив (I_D): 2N60 может выдержать ток слив 2A, что указывает на максимальный ток, который может непрерывно проходить через дренажный терминал.

Рассеяние мощности (P_D): он имеет рейтинг диссипации мощности 23 Вт, диктуя, какую мощность он может обрабатывать, прежде чем превышать максимальную температуру соединения.

Температура соединения (T_J): температура рабочего соединения может достигать 150 ° C.

Температура хранения (T_STG): компонент может храниться при температуре в диапазоне от -55 до +150 ° C.

Для конкретных реализаций устройство обеспечивает низкую пристойчивость на 3,8 Ом на V_GS 10 В. Низкий заряд затвора (типичный при 9,0NC) и низкая емкость обратного переноса (CRSS = типичный 5,0 пФ) способствуют быстрому переключению и повышению эффективности. Эти спецификации направлены на обеспечение того, чтобы MOSFET мог обеспечить необходимую производительность в задачах управления питанием с эффективностью и надежностью.

2N60 датащи, PDF

Краткое описание 2N60

ссылки URL