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JCS7HN65C датащи(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

номер детали JCS7HN65C
подробное описание детали  Low gate charge
PDF  18 Pages
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производитель  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
домашняя страница  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS7HN65C датащи(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS7HN65C
版本：201604I
4/18
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
td(on)
-
11
31
ns
上升时间
Turn-On rise time
tr
-
35
80
ns
延迟时间
Turn-Off delay time
td(off)
-
46
95
ns
下降时间
Turn-Off Fall time
tf
VDD=325V,ID=7A,RG=25Ω
（
note 4，5）
-
40
92
ns
栅极电荷总量
Total Gate Charge
Qg
-
32
41 nC
栅－源电荷
Gate-Source charge
Qgs
-
6
-
nC
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Qgd
VDS =520V ,
ID=7A
VGS =10V
（
note 4，5）
-
15
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS
-
-
7.0
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM
-
-
28
A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=7.0A
-
-
1.4
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
-
345
-
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr
VGS=0V, IS=7.0A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
-
3.2
-
μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
最大 Max
项
目
Parameter
符
号
Symbol
JCS7HN65VC
/RC/CC/SC/BC
JCS7HN65FC
TO-220MF
JCS7HN65FC
TO-220MF-K1/K2
单
位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Case
Rth(j-c)
1.04
2.3
2.845
℃
/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
35.67
40.25
℃
/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=27mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温
TJ=25℃
3 ： ISD≤7.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, 起始结温
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2 ： L=27mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD≤7.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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