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2 / 4 page  Tc=75°C（TYP） Tc=125°C（TYP） 順方向特性 Forward Voltage ００． ２０． ４１． ２ １． ０１． ４ １.６ ０.８ ０.６ Tc＝１７５℃（MAX） Tc＝１７５℃（TYP） Tc＝２５℃（MAX） Tc＝２５℃（TYP） 逆方向特性 Reverse Current ０ ２０ ４０ ８０ １００ ６０ Forward Voltage VF〔V〕 Reverse Voltage VR〔V〕 Pulse measurement Pulse measurement VR ＝50V ディレーティングカーブ Derating Curve D＝tp/T T tp ０ ０ IO VR ０ ２ １２ １０ ８ ６ ４ ０ ０.２ ０.４ １ ０.６ ０.８ ０ ０ ２０ ４０６０ ４０ ８０ １００ １２０ ８０ １６０ １２０ １８０ DC ０． ５ SIN SIN ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ DC ０． ５ ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ 逆電力損失曲線 DC DC D＝０． ０５ D＝０． ０５ ０． ５ ０． ５ ０． ０． ８ ８ ０． ８ ０． ３ ０． ３ ０． ２ ０． ２ ０． １ ０． １ SIN SIN Case Temperature Tc〔℃〕 Tc=150°C（TYP） Tc=175°C（TYP） Tc=100°C（TYP） Tc=50°C（TYP） Tc=25°C（TYP） D＝tp/T T tp ０ VR ８ ７ ６ ５ ４ ３ ２ １ ００４ ２６ １０ ８ 順電力損失曲線 Forward Power Dissipation DC D＝０． ８ ０． ５ ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ SIN DC D＝０． ８ D＝０． ８ D＝０． ８ ０． ５ ０． ３ ０． ２ ０． １ ０． ０５ SIN Tj＝１７５℃ D＝tp/T T tp ０ IO Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ２０ １０ ０． １ １ せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Current Capability ８０ ４０ １２０ １００ ６０ ２０ ０１ １００ １０ １cycle １０ms１０ms Sine wave Non-repetitive Tj＝２５℃ Number of Cycles 〔cycle〕 せん頭サージ順電流減少率−接合部温度 Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature １００ ８０ ４０ ２０ ６０ ００ ４０ ２０ ６０ １７５ ８０ １００ １２０ １６０ １４０ 接合容量 Junction Capacitance １０００ １０ １００ ０.１ １００ １０ １ Junction Temperature Tj 〔℃〕 Reverse Voltage VR〔V〕 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance １００ ０.１ １０ １ １０-４ １０-３ １０-２ １０-１ １００ １０１ １０３ １０２ Time t〔s〕 せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Current Capability １５０ ２５０ ３００ ０ ２００ １００ ５０ １ １０ Pulse Width tp〔ms〕 Tj＝２５℃ Tj＝２５℃ Tj＝２５℃ Tj＝１７５℃ Reverse Power Dissipation Reverse Voltage VR〔V〕 １００００ １００ １０0０ ０.００１ ０.０0０１ １ ０.１ １０ ０.０１ tp Sine wave Non-repetitive f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP Per diode １素子当り |
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